【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRLR2908PBF】封装/厂家_IRLR2908PBF中文资料_价格

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型号： IRLR2908PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRLR2908PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR2908PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR2908PBF价格参考￥询价-￥询价。International RectifierIRLR2908PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 80V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak。您可以下载IRLR2908PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR2908PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 80V 30A DPAKMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	30 A
Id-连续漏极电流	30 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR2908PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRLR2908PBF
Pd-PowerDissipation	120 W
Pd-功率耗散	120 W
Qg-GateCharge	22 nC
Qg-栅极电荷	22 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	28 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	28 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	80 V
Vds-漏源极击穿电压	80 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.5 V
上升时间	95 ns
下降时间	55 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	33nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	28 毫欧 @ 23A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	*IRLR2908PBF
典型关闭延迟时间	36 ns
功率-最大值	120W
功率耗散	120 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	28 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	22 nC
标准包装	75
正向跨导-最小值	35 S
汲极/源极击穿电压	80 V
漏极连续电流	30 A
漏源极电压(Vdss)	80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	30A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr2908.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr2908.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	16 V