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IRFL014NTRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL014NTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL014NTRPBF价格参考。International RectifierIRFL014NTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 1.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223。您可以下载IRFL014NTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFL014NTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFL014NTRPBF是英飞凌(Infineon Technologies)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: IRFL014NTRPBF可用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)中,作为高效的功率开关器件。其低导通电阻特性能够减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动: 该MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,尤其是在需要快速开关和低功耗的应用场合,例如家用电器、电动工具和自动化设备。 3. 负载开关: 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,IRFL014NTRPBF可用作负载开关,控制不同电路模块的供电状态,以实现节能和保护功能。 4. 电池管理系统(BMS): 该型号可应用于电池保护电路中,用作充放电控制开关,确保电池在安全的工作范围内运行,同时减少能量损失。 5. 信号切换与隔离: 在通信设备或工业控制系统中,IRFL014NTRPBF可用于信号切换和电气隔离,提供可靠的高性能表现。 6. 逆变器与变频器: 该MOSFET也可用于小型逆变器或变频器中,作为功率级开关元件,支持高效的能量转换。 综上所述,IRFL014NTRPBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域中的功率管理和信号处理场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL014NTRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFL014NTRPBF |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
Qg-GateCharge | 7 nC |
Qg-栅极电荷 | 7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 1.9A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | *IRFL014NTRPBF |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 2.1 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 160 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 7 nC |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 1.9 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.9A (Ta) |
闸/源击穿电压 | 20 V |