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  • 型号: IRFL014NTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFL014NTRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL014NTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL014NTRPBF价格参考。International RectifierIRFL014NTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 1.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223。您可以下载IRFL014NTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFL014NTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.9 A

Id-连续漏极电流

1.9 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL014NTRPBFHEXFET®

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产品型号

IRFL014NTRPBF

Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

Qg-GateCharge

7 nC

Qg-栅极电荷

7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

160 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

160 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

190pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

160 毫欧 @ 1.9A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

*IRFL014NTRPBF
IRFL014NPBFCT

功率-最大值

1W

功率耗散

2.1 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

160 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

7 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

1.9 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.9A (Ta)

闸/源击穿电压

20 V

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