Datasheet下载- 型号： IRF6604TR1
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6604TR1由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6604TR1价格参考。International RectifierIRF6604TR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6604TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6604TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6604TR1的器件是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品，属于单个N沟道MOSFET器件。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于多种功率电子应用。 IRF6604TR1的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，实现高效的能量转换，广泛应用于工业电源、通信电源和服务器电源系统。 2. 电机控制：在直流电机驱动器、无刷电机控制器中作为开关元件，提供快速开关响应和良好的热稳定性。 3. 负载开关：用作高侧或低侧开关，控制电源对负载的供电，适用于电池管理系统、电动工具和汽车电子系统。 4. 逆变器和UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中用于实现直流到交流的能量转换，具备良好的效率和可靠性。 5. 汽车电子：由于其高可靠性和良好的热性能，IRF6604TR1也广泛用于汽车应用，如车载充电器、起停系统和车身控制模块。 该器件采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，具备良好的热管理和空间利用率，适用于紧凑型高功率设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6604TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2270pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 毫欧 @ 12A，7V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MQ |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MQ |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 49A （Tc） |
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