Datasheet下载- 型号： SIHF12N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHF12N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHF12N60E-GE3价格参考。VishaySIHF12N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHF12N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHF12N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHF12N60E-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有 600V 耐压和 12A 电流能力，适用于多种高电压、中等功率的开关应用。该器件封装小巧、导通电阻低、开关速度快，广泛用于以下场景： 1. 电源转换设备：如AC-DC电源适配器、充电器、开关电源（SMPS）中，作为主开关元件，提高能效与功率密度。 2. 电机驱动：用于直流电机、步进电机或伺服电机控制电路中，实现高效调速与启停控制。 3. 照明系统：包括LED驱动器与电子镇流器，适合高频开关工作环境，有助于减小磁性元件体积。 4. 工业自动化：在PLC、继电器替代方案及工业控制模块中，提供可靠且快速的功率开关功能。 5. 消费电子产品：例如变频空调、电磁炉等家电中的功率控制部分。 6. 新能源领域：应用于太阳能逆变器、储能系统等场合，满足高效率与高可靠性需求。 该MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性，适合在较宽温度范围内工作，是许多中高功率开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHF12N60E-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 937pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
| 功率-最大值 | 33W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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