【未分类_FQB12N60CTM】封装/厂家_FQB12N60CTM中文资料_价格

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型号： FQB12N60CTM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB12N60CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB12N60CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB12N60CTM封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQB12N60CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB12N60CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB12N60CTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括：

1. 开关电源 (SMPS)：  
   FQB12N60CTM 的高电压耐受能力（600V）和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及 PFC（功率因数校正）电路。

2. 电机驱动：  
   该 MOSFET 可用于各种电机控制应用，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的驱动电路中，提供高效的开关性能和良好的热稳定性。

3. 逆变器：  
   在太阳能逆变器和其他电力逆变器中，FQB12N60CTM 可以作为主开关器件，实现高效的能量转换和控制。

4. 负载切换：  
   适用于需要高电压负载切换的应用场景，例如工业设备、汽车电子系统中的负载管理模块。

5. 电磁阀和继电器驱动：  
   其高电流处理能力和快速开关特性使其成为驱动电磁阀和继电器的理想选择。

6. 不间断电源 (UPS)：  
   在 UPS 系统中，FQB12N60CTM 可用于电池充电电路、逆变电路以及保护电路中，确保系统的稳定性和可靠性。

7. 电动汽车和混合动力汽车 (EV/HEV)：  
   该 MOSFET 可用于车载充电器、DC-DC 转换器和辅助电机控制系统中，支持高效率和高可靠性的电力传输。

8. 家电和消费电子：  
   在家用电器（如空调、洗衣机、冰箱等）中，FQB12N60CTM 可用于压缩机驱动、风扇控制和其他需要高压开关的场景。

总结来说，FQB12N60CTM 凭借其出色的电气特性和耐用性，广泛应用于工业、汽车、消费电子和可再生能源领域，特别是在需要高电压、高效率和快速开关的场景中表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQB12N60CTM
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2290pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	63nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	650 毫欧 @ 6A，10V
供应商器件封装	D²PAK
功率-最大值	3.13W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	800
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Tc）