Datasheet下载- 型号： IRFD123PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD123PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD123PBF价格参考。VishayIRFD123PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFD123PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD123PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD123PBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - IRFD123PBF 的低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断，从而实现电压转换和稳压功能。 - 应用实例：笔记本电脑适配器、手机充电器、DC-DC 转换器等。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，该 MOSFET 可以作为开关元件，通过 PWM（脉宽调制）信号控制电机的速度和方向。 - 应用实例：风扇控制、玩具电机、家用电器中的电机驱动。 3. 逆变器 - IRFD123PBF 可用于小型逆变器中，将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或其他便携式逆变设备。 - 应用实例：应急电源、太阳能电池板配套设备。 4. 负载切换 - 在需要频繁切换负载的电路中，IRFD123PBF 可以用作电子开关，快速可靠地接通或断开负载。 - 应用实例：汽车电子、LED 照明、USB 充电端口保护。 5. 音频功放 - 在 D 类音频放大器中，IRFD123PBF 可以作为输出级开关器件，提供高效的音频信号放大。 - 应用实例：便携式音箱、耳机放大器。 6. 过流保护与短路保护 - 利用其低导通电阻和快速响应特性，IRFD123PBF 可以在电路中充当保护开关，防止过流或短路对其他元器件造成损害。 - 应用实例：电池管理系统 (BMS)、电源管理模块。 总结 IRFD123PBF 凭借其优异的电气性能（如低 Rds(on)、高击穿电压、大电流承载能力），广泛应用于各种功率控制和开关场景。其典型应用包括开关电源、电机驱动、逆变器、负载切换、音频功放以及保护电路等领域。选择该型号时，需根据具体电路要求考虑散热设计和驱动条件，以确保其稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIPMOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA |
| Id-连续漏极电流 | 600 mA |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD123PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFD123PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1000 mW |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 780mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFD123PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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