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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NP90N04VUG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP90N04VUG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP90N04VUG-E1-AY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NP90N04VUG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NP90N04VUG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America(瑞萨电子)的型号NP90N04VUG-E1-AY是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高效率和快速开关特性,广泛应用于需要高效功率转换与控制的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于通信设备、服务器电源和工业电源系统。 2. 电机控制:用于电动工具、无刷直流电机(BLDC)驱动器及工业自动化设备中的功率开关。 3. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)及车身控制模块等对可靠性要求高的场景。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块。 5. 工业自动化与控制:用于PLC、变频器、继电器替代方案等工业设备中的开关控制。 该MOSFET采用TSON Advance封装,体积小、散热性能好,适合高密度、高效率设计需求,适用于中高功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH TO-252 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NP90N04VUG-E1-AY |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 45A,10V |
供应商器件封装 | TO-252 |
其它名称 | NP90N04VUG-E1-AYCT |
功率-最大值 | 1.2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |