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Datasheet下载- 型号： BLF578XRS,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF578XRS,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF578XRS,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF578XRS,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 50V 40mA 225MHz 23.5dB 1400W SOT539B。您可以下载BLF578XRS,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF578XRS,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF578XRS,112 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件特别适用于900 MHz至940 MHz频段，是工业、科学和医疗（ISM）频段应用的理想选择。其主要应用场景包括大功率射频能量系统，如射频加热、等离子体生成、工业感应加热以及医疗设备中的射频消融治疗设备。 此外，BLF578XRS,112 也常用于广播发射机，特别是在UHF电视和FM广播的高功率放大器模块中，提供高效、稳定的信号放大能力。由于其具备出色的热稳定性和高效率（可超过70%），该器件在长时间连续工作条件下仍能保持可靠性能，适合用于基站基础设施和高可靠性通信系统。 该MOSFET采用坚固的封装设计，支持源极接地配置，便于散热和集成到大型功放系统中，同时具备良好的抗负载失配能力，提升了系统鲁棒性。因此，BLF578XRS,112 在需要高输出功率（可达数百瓦）、高效率和高可靠性的射频功率放大场合中具有重要应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF578XRS,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539B |
| 其它名称 | 934066466112 |
| 功率-输出 | 1400W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 23.5dB |
| 封装/外壳 | SOT539B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 500MHz |
| 额定电流 | - |
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