Datasheet下载- 型号： IXTH4N150
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH4N150由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH4N150价格参考。IXYSIXTH4N150封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH4N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH4N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH4N150是一款高耐压、低导通电阻的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要参数包括：漏源电压（VDS）为1500V，连续漏极电流（ID）为4A，适用于高电压和中等功率的应用场合。 该器件常用于以下应用场景： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，用于高压侧开关，具备快速开关能力和低损耗特性。 2. 工业控制：用于工业自动化系统中的高压负载控制，如电机驱动、加热元件控制等。 3. 照明系统：适用于高压气体放电灯（HID灯）或LED驱动电源，支持高频开关以提高效率。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或光伏逆变器中作为功率开关元件，实现直流到交流的高效转换。 5. 测试与测量设备：用于高压测试电源或负载模拟设备中，作为可控开关元件。 6. 电动汽车与充电桩：在车载充电器或充电桩的高压电源管理系统中，用于功率调节与控制。 IXTH4N150凭借其高耐压、良好的热稳定性和可靠性，适用于多种高压、中功率开关应用，尤其适合需要高效率和紧凑设计的系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXTH4N150 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1576pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 功率-最大值 | 280W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V（1.5kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
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