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Datasheet下载- 型号： IRL1004STRRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL1004STRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL1004STRRPBF价格参考。International RectifierIRL1004STRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL1004STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL1004STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）是一家全球领先的半导体公司，其生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）广泛应用于各种电力电子系统中。 型号IRL1004STRRPBF是一款N沟道增强型MOSFET，属于逻辑电平驱动型，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性。其主要参数包括最大漏源电压（VDS）为55V，连续漏极电流可达78A，适用于低电压高电流的应用场景。 该器件的典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于高效能电源系统中。 2. 电机驱动：在电动工具、电动车、机器人等设备中作为电机控制开关。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制与保护电路。 4. 工业自动化：如PLC、伺服驱动器和工业电源模块。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动、起停系统等。 6. 消费类电子产品：如高功率移动电源、充电器、智能家电等。 由于其封装为TO-252（DPAK），便于散热和安装，适合中高功率应用。此外，逻辑电平栅极驱动特性使其可直接与MCU或数字控制器配合使用，简化了驱动电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRL1004STRRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 78A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
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