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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SIHF23N60E-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其额定电压为 600V,连续漏极电流可达 23A,适合用于高功率开关场合。 该器件常用于以下场景: 1. 电源供应器:如 AC-DC 转换器、开关电源(SMPS)等,用于高效能转换和稳压控制。 2. 电机驱动:在工业自动化设备和电动工具中,作为电机控制的开关元件。 3. 照明系统:如 LED 驱动器和 HID 灯镇流器,提供稳定电流控制。 4. 消费电子产品:如电视、音响设备中的电源管理模块。 5. 新能源领域:例如太阳能逆变器、充电器等,用于能量转换和控制。 该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,有助于提高系统效率并减少发热,适用于高频开关应用。其封装形式为 TO-220,便于散热和安装,适合多种工业标准电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 23A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHF23N60E-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2418pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 158 毫欧 @ 12A, 10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |