Datasheet下载- 型号： MVMBF0201NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MVMBF0201NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MVMBF0201NLT1G价格参考。ON SemiconductorMVMBF0201NLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MVMBF0201NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MVMBF0201NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MVMBF0201NLT1G是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用小型SOT-23封装，具有低阈值电压和低导通电阻的特点，适合在低电压、低功耗环境下工作。 其主要应用场景包括便携式电子设备和消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表、健康监测设备）等，常用于电源管理开关、电池供电系统的负载切换、信号通断控制等功能。由于其封装小巧、功耗低，非常适合对空间和能效要求较高的紧凑型设计。 此外，MVMBF0201NLT1G也广泛应用于各类小型电子模块中的逻辑电平转换、LED驱动开关、传感器电源控制以及接口保护电路中。其高可靠性与稳定的电气性能，使其在工业控制、家用电器的小信号控制电路中也有广泛应用。 总体而言，该MOSFET适用于需要高效、节能、小型化设计的低压直流电路，是现代电子设备中理想的开关元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MVMBF0201NLT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 45pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 300mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Ta） |
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