Datasheet下载- 型号： SI5443DC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5443DC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5443DC-T1-GE3价格参考。VishaySI5443DC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5443DC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5443DC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5443DC-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm超小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（典型RDS(on)约17mΩ），适合空间受限的便携式电子设备。该器件无需负压驱动，栅极电压兼容3.3V或5V逻辑电平，控制简便。 主要应用场景包括： 1. 电源管理开关：广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关、电源通断控制，实现高效节能与快速响应。 2. 电池供电系统：在锂电池保护电路中作为反向电流阻断或充放电控制元件，提升系统安全性。 3. DC-DC转换器：用于同步整流或高边/低边开关拓扑，提高电源转换效率。 4. 热插拔与电源排序：在多电源系统中实现平稳上电，防止浪涌电流损坏电路。 5. 便携式消费类电子产品：如TWS耳机、移动电源、数码相机等对尺寸和功耗敏感的应用。 其小封装、低功耗和高可靠性特点，使其成为现代高密度电子设计中理想的开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5443DC-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
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