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IRFP150NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP150NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP150NPBF价格参考¥8.08-¥8.08。International RectifierIRFP150NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 160W(Tc) TO-247AC。您可以下载IRFP150NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP150NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRFP150NPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理:IRFP150NPBF适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)和不间断电源(UPS)等应用。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动:在工业自动化、家用电器及电动工具等领域,该器件用于驱动各种类型的电机,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)和有刷直流电机。它能够承受较高的电流和电压,确保稳定可靠的电机控制。 3. 逆变器与变频器:太阳能逆变器、风力发电逆变器以及空调、冰箱等家电中的变频控制系统都会用到这款MOSFET。它支持快速开关操作,帮助实现高效的能量转换和精确的速度调节。 4. 电池管理系统(BMS):电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及其他便携式电子设备的电池组保护电路中也常见IRFP150NPBF的身影。它可以有效地防止过充、过放等问题,保障电池安全。 5. 脉宽调制(PWM)控制器:在音频放大器、LED照明驱动器等需要精细调节输出功率的应用场合,IRFP150NPBF凭借其优秀的开关性能,可以实现精准的PWM控制,从而优化系统表现并降低功耗。 总之,IRFP150NPBF凭借其出色的电气参数和可靠性,在众多电力电子领域展现出卓越的应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 42A TO-247ACMOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 39 A |
Id-连续漏极电流 | 39 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP150NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFP150NPBF |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 73.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 73.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 23A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247AC |
其它名称 | *IRFP150NPBF |
功率-最大值 | 160W |
功率耗散 | 140 W |
包装 | 散装 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 36 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 73.3 nC |
标准包装 | 25 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 39 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp150n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp150n.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |