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  • 型号: IRFP150NPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFP150NPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP150NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP150NPBF价格参考¥8.08-¥8.08。International RectifierIRFP150NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 160W(Tc) TO-247AC。您可以下载IRFP150NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP150NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies生产的IRFP150NPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

1. 电源管理:IRFP150NPBF适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)和不间断电源(UPS)等应用。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源效率。

2. 电机驱动:在工业自动化、家用电器及电动工具等领域,该器件用于驱动各种类型的电机,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)和有刷直流电机。它能够承受较高的电流和电压,确保稳定可靠的电机控制。

3. 逆变器与变频器:太阳能逆变器、风力发电逆变器以及空调、冰箱等家电中的变频控制系统都会用到这款MOSFET。它支持快速开关操作,帮助实现高效的能量转换和精确的速度调节。

4. 电池管理系统(BMS):电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及其他便携式电子设备的电池组保护电路中也常见IRFP150NPBF的身影。它可以有效地防止过充、过放等问题,保障电池安全。

5. 脉宽调制(PWM)控制器:在音频放大器、LED照明驱动器等需要精细调节输出功率的应用场合,IRFP150NPBF凭借其优秀的开关性能,可以实现精准的PWM控制,从而优化系统表现并降低功耗。

总之,IRFP150NPBF凭借其出色的电气参数和可靠性,在众多电力电子领域展现出卓越的应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 42A TO-247ACMOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

39 A

Id-连续漏极电流

39 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP150NPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFP150NPBF

Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

Qg-GateCharge

73.3 nC

Qg-栅极电荷

73.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

36 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

36 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

36 毫欧 @ 23A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AC

其它名称

*IRFP150NPBF

功率-最大值

160W

功率耗散

140 W

包装

散装

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

36 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

73.3 nC

标准包装

25

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

39 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

42A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp150n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp150n.spi

闸/源击穿电压

20 V

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