Datasheet下载- 型号： IRL530NSTRRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL530NSTRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL530NSTRRPBF价格参考。International RectifierIRL530NSTRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL530NSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL530NSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRL530NSTRRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - IRL530NSTRRPBF具有低导通电阻（Rds(on)），非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断，降低能量损耗。 - 常见应用：适配器、充电器、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动 - 该器件可以作为电机驱动电路中的功率开关，用于控制直流电机或步进电机的启动、停止和速度调节。 - 应用领域：家用电器（如风扇、泵）、工业自动化设备、机器人等。 3. 负载切换 - 在需要频繁切换负载的场景中，IRL530NSTRRPBF可以用作电子开关，实现对负载的快速开启和关闭。 - 应用实例：汽车电子系统中的负载控制、LED照明驱动等。 4. 逆变器和太阳能系统 - 在小型逆变器和太阳能发电系统中，该MOSFET可以用作功率转换的关键元件，将直流电转换为交流电。 - 特点：高效的功率转换能力，减少热损耗。 5. 电池管理 - 用于电池保护电路中，控制电池的充放电过程，防止过流、短路等情况。 - 应用场景：便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑）、电动工具等。 6. 音频放大器 - 在某些音频放大器设计中，IRL530NSTRRPBF可以用作输出级的功率开关，提供稳定的电流输出，确保音频信号的质量。 7. 信号隔离与保护 - 在需要电气隔离的场景中，该MOSFET可以用作保护开关，防止高电压或大电流对敏感电路造成损害。 总结 IRL530NSTRRPBF凭借其低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源等领域。具体选择时需根据实际电路需求，结合其电气参数（如耐压值、电流容量、栅极驱动要求等）进行合理设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 100mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL530NSTRRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL530NSTRRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 22.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2 V |
| 上升时间 | 53 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 150 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 7.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irl530ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irl530ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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