Datasheet下载- 型号： CSD16409Q3
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16409Q3由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16409Q3价格参考。Texas InstrumentsCSD16409Q3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16409Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16409Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16409Q3 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款 N 沟道增强型硅基氮化镓 (GaN) FET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。它结合了 GaN 的高性能特性和传统硅工艺的可靠性，适用于多种高效能电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源转换 - AC-DC 和 DC-DC 转换器：CSD16409Q3 可用于高频开关电源中，例如 PFC（功率因数校正）电路和 LLC 谐振转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度可显著提高效率并减少能量损耗。 - 太阳能逆变器：在光伏系统中，该器件可用于 MPPT（最大功率点跟踪）控制器和逆变器模块，提升能量转换效率。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC)：CSD16409Q3 的高效率和低热损耗特性使其适合驱动小型至中型 BLDC 电机，如无人机、电动工具和家用电器中的电机。 - 伺服电机控制：在工业自动化领域，该器件可用于伺服驱动器以实现精确的速度和位置控制。 3. 消费类电子产品 - 快充适配器：CSD16409Q3 的高频开关能力非常适合现代 USB-C PD 快充适配器，帮助减小适配器体积并提高充电效率。 - 笔记本电脑和手机电源管理：用于电池管理系统 (BMS) 中的高效 DC-DC 转换，延长设备续航时间。 4. 通信设备 - 基站电源：在 5G 基站和其他通信基础设施中，该器件可用于高效的电源模块设计，支持高功率密度需求。 - 电信级 PSU：为路由器、交换机等设备提供稳定且高效的电源供应。 5. 汽车电子 - 车载充电器 (OBC)：在电动汽车中，CSD16409Q3 可用于 AC-DC 车载充电器，提升充电效率并降低热量产生。 - DC-DC 转换器：用于将高压电池电压转换为低压系统供电，如照明、信息娱乐系统等。 6. 其他应用 - 不间断电源 (UPS)：在 UPS 系统中，该器件可用于逆变和整流部分，确保高效的能量转换。 - LED 驱动器：用于高亮度 LED 照明系统的恒流驱动，支持更高的功率输出和更低的功耗。 总之，CSD16409Q3 凭借其优异的性能参数（如低 Rds(on)、高开关频率和高耐压能力），成为许多高效能电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 60A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16409Q3NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16409Q3 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.6 W |
| Pd-功率耗散 | 2.6 W |
| Qg-栅极电荷 | 4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 10.6 ns |
| 下降时间 | 3.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.2 毫欧 @ 17A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-24253-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 6.3 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16409Q3 |
| 功率-最大值 | 2.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 38 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A（Ta）， 60A（Tc） |
| 系列 | CSD16409Q3 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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