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IXFH16N120P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH16N120P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH16N120P价格参考。IXYSIXFH16N120P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1200V 16A(Tc) 660W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH16N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH16N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH16N120P是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于高压功率MOSFET系列。其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) - IXFH16N120P的耐压高达1200V,适用于高压开关电源的设计,如AC-DC转换器、DC-DC变换器等。 - 常用于高频开关电路中,作为主开关器件,实现高效的电压转换。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于工业电机驱动和伺服系统中,控制高电压电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功耗,提高效率。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)中,IXFH16N120P可用作功率开关,将直流电转换为交流电。 - 高耐压和快速开关能力使其适合高压逆变应用。 4. 电磁阀和继电器驱动 - 用于驱动高压电磁阀或继电器,提供稳定的电流输出并确保可靠切换。 - 其高耐压性能可承受电磁阀开启或关闭时产生的反向电动势。 5. 电动汽车和混合动力汽车 - 在电动车或混合动力车的电力管理系统中,该MOSFET可用于电池管理、DC-DC转换器以及电机控制器中。 - 能够承受高压环境,满足车辆对功率器件的严格要求。 6. 焊接设备 - 在焊接机中用作功率开关,控制焊接电流的输出,确保焊接过程的稳定性和高效性。 7. 工业自动化 - 适用于工业自动化设备中的高压控制电路,例如PLC(可编程逻辑控制器)输出模块、传感器接口等。 总结 IXFH16N120P凭借其高耐压(1200V)、低导通电阻(典型值为1.8Ω@Vgs=10V)和出色的开关性能,广泛应用于高压、大功率场景中。它特别适合需要高可靠性和高效能的工业、能源和交通领域。在选择具体应用场景时,需根据实际工作条件(如电压、电流、频率等)进行详细评估和设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
Id-连续漏极电流 | 16 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH16N120PPolar™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFH16N120P |
Pd-PowerDissipation | 660 W |
Pd-功率耗散 | 660 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 950 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 28 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 950 毫欧 @ 8A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
典型关闭延迟时间 | 66 ns |
功率-最大值 | 660W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.500 g |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
系列 | IXFH16N120 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |