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  • 型号: IXFH16N120P
  • 制造商: IXYS
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IXFH16N120P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH16N120P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH16N120P价格参考。IXYSIXFH16N120P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1200V 16A(Tc) 660W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH16N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH16N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFH16N120P是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于高压功率MOSFET系列。其典型应用场景包括:

 1. 开关电源(SMPS)
   - IXFH16N120P的耐压高达1200V,适用于高压开关电源的设计,如AC-DC转换器、DC-DC变换器等。
   - 常用于高频开关电路中,作为主开关器件,实现高效的电压转换。

 2. 电机驱动
   - 该MOSFET可用于工业电机驱动和伺服系统中,控制高电压电机的启动、停止和速度调节。
   - 其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功耗,提高效率。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)中,IXFH16N120P可用作功率开关,将直流电转换为交流电。
   - 高耐压和快速开关能力使其适合高压逆变应用。

 4. 电磁阀和继电器驱动
   - 用于驱动高压电磁阀或继电器,提供稳定的电流输出并确保可靠切换。
   - 其高耐压性能可承受电磁阀开启或关闭时产生的反向电动势。

 5. 电动汽车和混合动力汽车
   - 在电动车或混合动力车的电力管理系统中,该MOSFET可用于电池管理、DC-DC转换器以及电机控制器中。
   - 能够承受高压环境,满足车辆对功率器件的严格要求。

 6. 焊接设备
   - 在焊接机中用作功率开关,控制焊接电流的输出,确保焊接过程的稳定性和高效性。

 7. 工业自动化
   - 适用于工业自动化设备中的高压控制电路,例如PLC(可编程逻辑控制器)输出模块、传感器接口等。

 总结
IXFH16N120P凭借其高耐压(1200V)、低导通电阻(典型值为1.8Ω@Vgs=10V)和出色的开关性能,广泛应用于高压、大功率场景中。它特别适合需要高可靠性和高效能的工业、能源和交通领域。在选择具体应用场景时,需根据实际工作条件(如电压、电流、频率等)进行详细评估和设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16 A

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFH16N120PPolar™ HiPerFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXFH16N120P

Pd-PowerDissipation

660 W

Pd-功率耗散

660 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

950 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

950 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.2 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.2 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

28 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

120nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

950 毫欧 @ 8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AD (IXFH)

典型关闭延迟时间

66 ns

功率-最大值

660W

包装

管件

单位重量

6.500 g

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Tc)

系列

IXFH16N120

通道模式

Enhancement

配置

Single

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