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  • 型号: IRFHM831TR2PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IRFHM831TR2PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM831TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM831TR2PBF价格参考。International RectifierIRFHM831TR2PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 14A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)。您可以下载IRFHM831TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFHM831TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 14A PQFN

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

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产品型号

IRFHM831TR2PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1050pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.8 毫欧 @ 12A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

PQFN(3x3)

其它名称

IRFHM831TR2PBFCT

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-VQFN 裸露焊盘

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Ta). 40A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhm831.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhm831.spi

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