Datasheet下载- 型号： NTMSD6N303R2G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMSD6N303R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMSD6N303R2G价格参考。ON SemiconductorNTMSD6N303R2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMSD6N303R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMSD6N303R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMSD6N303R2G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场合。 其主要应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关与负载管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑；电池供电系统中的充放电控制与保护电路；DC-DC转换器，尤其适用于降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构，提供高效率能量转换；电机驱动电路，用于小型直流电机或步进电机的控制；以及各类消费类电子产品中的热插拔控制器和电源多路复用器。 该MOSFET采用先进的沟槽技术，具备低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和导通损耗，提升系统能效。同时，其小型化封装（如PowerPAK 1.5x1.5mm）节省PCB空间，适合高密度布局设计。 此外，NTMSD6N303R2G符合RoHS环保要求，并具有良好的热稳定性与可靠性，适用于工业控制、物联网终端及通信模块等对可靠性和效率要求较高的领域。总体而言，它是一款高性能、紧凑型的功率开关器件，适用于中低功率、高频工作的现代电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMSD6N303R2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FETKY™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMSD6N303R2GOS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
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