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  • 型号: IRFZ34STRR
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ34STRR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ34STRR价格参考。VishayIRFZ34STRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFZ34STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ34STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 IRFZ34STRR 是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于各类中低电压开关电源系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合在高效率、小体积的电子设备中使用。

典型应用场景包括:直流-直流(DC-DC)转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动电路、逆变器、电池管理系统以及各类电源管理模块。由于其具备较高的电流承载能力和快速响应特性,IRFZ34STRR 常用于笔记本电脑、消费类电子产品、工业控制设备和便携式电器中的电源控制部分。

此外,该MOSFET还适用于负载开关和电源开关应用,例如在LED驱动电路或热插拔电源设计中实现高效电流通断控制。其表面贴装封装(如DPAK或类似形式)有助于提升PCB布局的紧凑性,并便于散热管理,适合自动化批量生产。

总体而言,IRFZ34STRR 凭借其可靠的性能和稳定的参数,在中小功率电力电子系统中扮演关键角色,特别适用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

http://www.vishay.com/doc?90368

产品图片

产品型号

IRFZ34STRR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 18A,10V

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

3.7W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

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