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产品简介:
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FQB9N50CFTM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于需要高效开关和高耐压能力的电力电子系统中。其典型应用场景包括: 1. 电源转换设备:如AC-DC适配器、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效地进行电能转换与调节。 2. 电机控制:在直流电机或无刷电机控制系统中作为功率开关,适用于电动工具、家用电器及工业自动化设备。 3. 照明系统:用于LED驱动电源、镇流器或其他高效照明系统中的功率调节与开关控制。 4. 汽车电子:在车载充电系统、电池管理系统(BMS)或车身控制模块中提供高可靠性的功率切换功能。 5. 消费类电子产品:如电视、音响、电脑电源等产品中的功率管理电路。 该器件具有高击穿电压(500V)、低导通电阻(Rds(on))和高电流容量的特点,适合高频开关应用,同时具备良好的热稳定性和耐用性,适用于对效率和可靠性要求较高的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB9N50CFTM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | FRFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4.5A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FQB9N50CFTMDKR |
功率-最大值 | 173W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |