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  • 型号: NP75N04YUG-E1-AY
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NP75N04YUG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP75N04YUG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP75N04YUG-E1-AY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NP75N04YUG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NP75N04YUG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Renesas Electronics America 的 NP75N04YUG-E1-AY 是一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管,广泛应用于中低功率开关场景。该器件具有40V的漏源电压(VDS)和高达75A的连续漏极电流能力,导通电阻极低(典型值约3.2mΩ),适合高效率、大电流的应用需求。

其主要应用场景包括:便携式电子设备中的电源管理,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池保护电路;DC-DC转换器,用于提升或降低电压以满足系统不同模块的供电需求;电机驱动电路,适用于小型直流电机或步进电机的控制;以及各类负载开关和热插拔电源控制电路。

此外,NP75N04YUG-E1-AY采用紧凑型封装(如TSON-8),有助于节省PCB空间,适合对体积敏感的消费类电子产品。其高开关速度和低导通损耗也使其在高频开关电源中表现优异,提升整体能效。

综上,该MOSFET适用于需要高效、大电流、小尺寸电源解决方案的消费电子、工业控制和便携设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Renesas Electronics America

数据手册

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产品图片

产品型号

NP75N04YUG-E1-AY

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6450pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

116nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 毫欧 @ 37.5A,10V

供应商器件封装

8-HSON

其它名称

NP75N04YUG-E1-AYCT
NP75N04YUGE1AY

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SMD,扁平引线裸焊盘

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

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