Datasheet下载- 型号： HUF76639S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76639S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76639S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76639S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76639S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76639S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76639S3ST 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于电源管理和开关电路。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于高效能转换和稳压。 2. 电机控制：在电动工具、电动车或工业自动化中作为电机驱动开关。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的开启与关闭，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统：在电池充放电保护电路中作为开关元件，提高系统安全性。 5. 汽车电子：如车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）等对可靠性要求较高的场景。 由于其封装小巧、导通损耗低，特别适用于空间受限且对效率有要求的高密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76639S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 51A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | HUF76639S3STFSDKR |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 51A |
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