Datasheet下载- 型号： SIE878DF-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE878DF-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE878DF-T1-GE3价格参考。VishaySIE878DF-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIE878DF-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE878DF-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIE878DF-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用小型化封装（如PowerPAK SO-8），具有低导通电阻、高开关效率和良好热性能。该器件适用于多种电子系统中的电源管理和负载开关应用。 典型应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电池电源管理与负载开关，用于控制电源通断并防止反向电流；各类消费类电子设备中的DC-DC转换电路，作为同步整流或高端开关元件，提高能效；工业控制模块和电源管理系统中实现低功耗、高密度设计；此外，还广泛用于热插拔电路、LED驱动、电机控制及过压保护电路等。 其小尺寸封装适合空间受限的高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于对效率和体积有较高要求的中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIE878DF-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（L） |
| 其它名称 | SIE878DF-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（L） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Tc） |
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