【未分类_SI7136DP-T1-GE3】封装/厂家_SI7136DP-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SI7136DP-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7136DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7136DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7136DP-T1-GE3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SI7136DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7136DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的SI7136DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括：

1. 电源管理：  
   该器件适用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、降压或升压转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，降低功率损耗。

2. 负载开关：  
   在便携式设备和消费电子产品中，SI7136DP-T1-GE3可以用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，从而实现节能和保护功能。

3. 电机驱动：  
   该MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，能够高效地控制电机的启停、转向和速度调节。

4. 电池保护：  
   在锂电池或其他可充电电池系统中，可用于防止过充、过放、短路等异常情况，确保电池的安全性和使用寿命。

5. 信号切换：  
   在通信设备或工业控制系统中，可以作为信号切换元件，实现不同信号路径的选择和隔离。

6. 汽车电子：  
   虽然不是车规级产品，但在一些非关键性的汽车电子应用中（如车载音响、照明控制等），也可以使用该MOSFET。

7. 消费类电子产品：  
   广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他便携式设备中，提供高效的功率转换和控制。

SI7136DP-T1-GE3具有较低的导通电阻（典型值为1.8mΩ@Vgs=10V）和较高的电流处理能力（连续漏极电流可达38A），同时采用TO-252 (DPAK)封装，便于散热和安装。这些特性使其非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI7136DP-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3380pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	78nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3.2 毫欧 @ 20A，10V
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
功率-最大值	39W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	30A （Tc）