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Datasheet下载- 型号： FDN342P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN342P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN342P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN342P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDN342P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN342P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN342P 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：FDN342P 适用于各种电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）、负载开关和电池管理等。它能够高效地控制电流流动，实现节能和稳定的电源输出。 2. 电机驱动：该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 信号切换：在需要高频信号切换的应用中，如音频设备、数据通信接口等，FDN342P 可以用作高速开关，确保信号的准确传输。 4. 消费电子产品：广泛应用于手机充电器、平板电脑适配器、笔记本电脑等消费类电子产品的电路设计中，用于功率转换和保护功能。 5. 汽车电子：尽管其电压和电流规格可能更适合低功率应用，但在某些汽车电子系统中，例如车内照明控制、传感器接口等，也可以使用 FDN342P。 6. 工业自动化：在工业控制领域，这款 MOSFET 可用于继电器替代方案、固态继电器（SSR）以及可编程逻辑控制器（PLC）中的开关电路。 7. LED 驱动：对于 LED 照明应用，FDN342P 可以用作恒流源的一部分，帮助调节通过 LED 的电流，从而实现亮度控制和稳定发光。 总之，FDN342P 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，在众多低功率至中等功率的电子应用中表现出色，是设计工程师在选择小尺寸、高效能 MOSFET 时的理想选项之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3MOSFET SSOT-3 P-CH -20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN342PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN342P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 62 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 62 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 635pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN342PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A |
| 系列 | FDN342P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN342P_NL |
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