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  • 型号: FDN342P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDN342P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN342P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN342P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDN342P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN342P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN342PPowerTrench®

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产品型号

FDN342P

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.5 W

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

62 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

62 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

8 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

635pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 2A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-SSOT

其它名称

FDN342PCT

典型关闭延迟时间

9 ns

功率-最大值

460mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SSOT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

7 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A

系列

FDN342P

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDN342P_NL

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