Datasheet下载- 型号： IRFR9N20DTRL
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9N20DTRL由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9N20DTRL价格参考。International RectifierIRFR9N20DTRL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR9N20DTRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9N20DTRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFR9N20DTRL 是一款P沟道MOSFET，额定电压为-200V，最大连续漏极电流约为-1.8A，采用TO-252（DPAK）封装。该器件具有较高的耐压能力和良好的开关性能，适用于中高压功率管理场合。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中的负载开关或控制电路，实现高效能量转换。 2. 逆变器与电机驱动：在小型电机控制或逆变系统中作为功率开关元件，适用于工业控制和家用电器。 3. 高边开关应用：由于是P沟道MOSFET，适合用于高边驱动电路，控制电源对负载的通断，广泛应用于汽车电子、工业模块等需要可靠开关的场合。 4. 保护电路：可用于过压、反接保护电路中，防止电源反接损坏后级设备。 5. 工业与消费类设备：如UPS不间断电源、照明电源模块、电焊设备等中高压小功率系统中。 IRFR9N20DTRL 具有低栅极电荷和导通电阻，提升开关效率，减少发热，同时其坚固的封装设计增强了散热性能和可靠性，适合在较严苛环境中使用。因其良好的耐用性和稳定性，也常见于汽车电子辅助电源系统中。总体而言，该型号适用于需要-200V耐压等级的中小功率开关控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR9N20DTRL |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A （Tc） |
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