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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR120ZTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR120ZTRLPBF价格参考。International RectifierIRFR120ZTRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR120ZTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR120ZTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFR120ZTRLPBF的MOSFET属于功率场效应晶体管(FET),常用于需要高效能开关和功率控制的应用中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器,因其具备低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,有助于减少能量损耗并提高系统效率。 2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机控制以及电动工具中,IRFR120ZTRLPBF可用于实现高效的电机速度与方向控制。 3. 负载开关:适用于电池供电设备中的负载切换,如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理系统。 4. 照明系统:包括LED驱动电路,尤其在需要调光或高频切换的场合表现良好。 5. 汽车电子:由于其可靠性和耐压能力,也可用于汽车中的辅助电机、灯控模块及车载充电系统。 6. 工业自动化:用于PLC、继电器替代方案和工业控制设备中的高频率开关应用。 该器件采用表面贴装封装(如TO-252或DPAK),适合自动化装配,广泛应用于对空间和散热有一定要求的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAKMOSFET MOSFT 100V 8.7A 190mOhm 6.9nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR120ZTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR120ZTRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 6.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 5.2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 190 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 6,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 8.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.7A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru120z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru120z.spi |