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  • 型号: STP25NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP25NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP25NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTP25NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP25NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP25NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STP25NM60N是一款N沟道增强型MOSFET,具有25A电流能力和600V耐压,适用于高电压和中高功率应用。其主要应用场景包括:

1. 电源转换系统:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器,适用于需要高效能和高可靠性的电源设计。

2. 电机控制:用于工业电机驱动器、电动工具和家用电器中的电机调速与开关控制。

3. 照明系统:如LED路灯、工业照明和电子镇流器中作为高频开关元件。

4. 消费电子产品:包括变频空调、电磁炉等家电中的功率控制部分。

5. 工业自动化设备:用于PLC、继电器驱动、负载开关等场景,具备高耐压和低导通电阻特性,提升系统效率和稳定性。

该器件采用TO-220封装,便于散热和安装,广泛用于需要高可靠性和高效率的中高功率场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 21A TO-220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STP25NM60N

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2400pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

84nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

160 毫欧 @ 10.5A,10V

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-5020-5

功率-最大值

160W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A (Tc)

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