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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP25NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP25NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTP25NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP25NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP25NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP25NM60N是一款N沟道增强型MOSFET,具有25A电流能力和600V耐压,适用于高电压和中高功率应用。其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器,适用于需要高效能和高可靠性的电源设计。 2. 电机控制:用于工业电机驱动器、电动工具和家用电器中的电机调速与开关控制。 3. 照明系统:如LED路灯、工业照明和电子镇流器中作为高频开关元件。 4. 消费电子产品:包括变频空调、电磁炉等家电中的功率控制部分。 5. 工业自动化设备:用于PLC、继电器驱动、负载开关等场景,具备高耐压和低导通电阻特性,提升系统效率和稳定性。 该器件采用TO-220封装,便于散热和安装,广泛用于需要高可靠性和高效率的中高功率场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STP25NM60N |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 10.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-5020-5 |
功率-最大值 | 160W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |