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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD18N06G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD18N06G价格参考。ON SemiconductorNTD18N06G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD18N06G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD18N06G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD18N06G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率控制的场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和稳压电路中,提高电源转换效率,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 电机控制:在直流电机驱动器和无刷电机控制系统中作为开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 负载开关:用于电池供电设备中控制负载的通断,如平板电脑、智能手机和便携式医疗设备。 4. 逆变器与变频器:在小型逆变器和变频器中用于实现直流到交流的电能转换,适用于UPS(不间断电源)和太阳能逆变系统。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动和电机控制模块,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该MOSFET适用于高频率开关操作,具备良好的热稳定性和耐用性,适合中高功率应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD18N06G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 9A,10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta) |