Datasheet下载- 型号： IRF1010ESTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1010ESTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1010ESTRLPBF价格参考￥2.10-￥2.10。International RectifierIRF1010ESTRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF1010ESTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1010ESTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF1010ESTRLPBF是一款晶体管，具体为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单通道类型。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRF1010ESTRLPBF适用于开关模式电源的设计，例如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，降低功耗。 - 在高频开关应用中表现良好，适合需要高能效的电源管理场景。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其较高的电流承载能力和快速开关速度使其能够有效控制电机的启动、停止和调速。 - 常见于家用电器（如风扇、水泵）和工业自动化设备中的电机控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电。其耐压能力（通常在50V以上）和低损耗特性非常适合此类应用。 4. 负载切换 - 用于电子设备中的负载切换功能，例如汽车电子、LED照明和消费电子产品。它可以在不同负载条件下实现快速、稳定的切换，同时保持较低的热损耗。 5. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护和管理系统中，IRF1010ESTRLPBF可以用作充放电路径的开关器件，确保电池的安全运行并优化能量传输效率。 6. 音频功率放大器 - 在某些D类音频放大器设计中，该MOSFET可用作输出级开关器件，提供高效且低失真的音频信号放大。 总结 IRF1010ESTRLPBF凭借其优异的电气性能（如低Rds(on)、高开关速度和良好的热稳定性），广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子，这款MOSFET都能满足多种复杂场景的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 3.21 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAKMOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 83 A |
| Id-连续漏极电流 | 84 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1010ESTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1010ESTRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 86.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 78 ns |
| 下降时间 | 53 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF1010ESTRLPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 69 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 84A （Tc） |
| 配置 | Single |
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