Datasheet下载- 型号： APT20M11JVFR
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT20M11JVFR由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT20M11JVFR价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT20M11JVFR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT20M11JVFR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT20M11JVFR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APT20M11JVFR是Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET器件。该器件常用于高电压和高功率应用场景，具备良好的导通特性和耐压能力。 应用场景包括： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，适用于需要高效能和高可靠性的工业电源系统。 2. 电机驱动器：用于工业自动化设备、伺服电机、步进电机控制电路中，作为功率开关元件，具备快速开关能力和高耐压特性。 3. 新能源系统：如太阳能逆变器、储能系统中的功率控制模块，适合用于光伏逆变器的DC侧开关或高频变换电路。 4. 汽车电子：适用于电动汽车（EV）或混合动力汽车（HEV）中的车载充电器（OBC）、DC-DC转换模块等高压系统。 5. 工业控制与自动化：如PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、UPS（不间断电源）等设备中，作为高可靠性功率开关使用。 该MOSFET采用TO-264封装，具有良好的热性能和高电流承载能力，适合在高温环境下稳定工作。由于其1100V的高漏源击穿电压（VDS），APT20M11JVFR适用于中高压功率转换系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6734-apt20m11jvfr-b-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | APT20M11JVFR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS V® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 21600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 功率-最大值 | 700W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 175A |
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