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产品简介:
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FDP14AN06LA0 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性和高电流处理能力的场景中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于计算机、服务器及通信设备的电源系统。 2. 电机控制:用于电机驱动电路中,作为开关元件,实现对直流电机或步进电机的高效控制。 3. 电池管理系统(BMS):在电动工具、电动车辆或储能系统中,用于电池充放电控制与保护电路。 4. 工业自动化:在PLC、变频器和工业电源中作为功率开关使用,支持高频率开关操作。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块及辅助电机控制等场景,具备一定的汽车级可靠性。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高电流容量和优良的热性能,适合在中高功率应用中实现高效能与小型化设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 67A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDP14AN06LA0 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.6 毫欧 @ 67A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 400 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta), 67A (Tc) |