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Datasheet下载- 型号： IRF6616TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
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IRF6616TR1PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6616TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6616TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6616TR1PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 19A（Ta），106A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MX。您可以下载IRF6616TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6616TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRF6616TR1PBF 是一款由英飞凌旗下IR（International Rectifier）公司生产的 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与DC-DC转换器：适用于各类高效能电源转换系统，如笔记本电脑、服务器电源、通信设备电源等，用于提高电源转换效率和稳定性。 2. 电机驱动电路：广泛应用于电机控制模块中，如电动工具、工业自动化设备、电动车控制器等，其高开关速度和低导通电阻有助于实现高效、紧凑的驱动设计。 3. 负载开关与电源开关应用：因其具备良好的导通特性和封装散热性能，适合用于负载开关、热插拔电路、电池管理系统（BMS）等。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中，该MOSFET可用于高频开关电路，提升能量转换效率，降低损耗。 5. 汽车电子系统：虽然该型号为工业级器件，但在部分汽车辅助系统（如车载充电器、车灯控制、电机控制）中也可使用，尤其适用于对成本和性能有平衡需求的设计。 特性优势： - 低导通电阻（Rds(on)）：减少导通损耗； - 高频开关能力：适用于高频电源拓扑； - TO-252（DPAK）封装：具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺。 综上，IRF6616TR1PBF适用于多种中功率开关应用，广泛用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFETMOSFET MOSFT 40V 106A 5.0mOhm 29nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6616TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6616TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3765pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6616TR1PBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta）， 106A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6616.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6616.spi |
