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  • 型号: NVTFS4C06NWFTAG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVTFS4C06NWFTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTFS4C06NWFTAG价格参考。ON SemiconductorNVTFS4C06NWFTAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVTFS4C06NWFTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVTFS4C06NWFTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 71A U8FLMOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

71 A

Id-连续漏极电流

71 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVTFS4C06NWFTAG-

mouser_ship_limit

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产品型号

NVTFS4C06NWFTAG

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

Qg-GateCharge

26 nC

Qg-栅极电荷

26 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

上升时间

28 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1683pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.2 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

*

典型关闭延迟时间

24 ns

功率-最大值

3.1W

包装

*

商标

ON Semiconductor

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

*

封装/箱体

WDFN-8

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A (Ta)

系列

NVTFS4C06N

配置

Single

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