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产品简介:
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Microsemi Corporation(现为Microchip旗下品牌)的APL502B2G是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于分立式单个MOSFET器件。该器件通常用于高效率电源转换和功率控制应用。 APL502B2G的应用场景主要包括: 1. DC-DC转换器:用于通信设备、服务器和工业电源中的升压(Boost)或降压(Buck)电路,实现高效的电压转换。 2. 电源管理模块:在电池供电设备中,如笔记本电脑、UPS(不间断电源)系统中,用于电源开关和负载管理。 3. 电机驱动电路:适用于小型电机或继电器的控制,提供快速开关和低导通损耗。 4. 负载开关与保护电路:用于电源分配系统中,实现对负载的快速通断控制,提供过流或短路保护功能。 5. 工业控制系统:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业自动化设备中,作为功率开关使用。 该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合中高功率密度设计,广泛应用于通信、工业和消费类电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6533-apl502b2-l-g-e-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
产品图片 | |
产品型号 | APL502B2G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 2.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 29A,12V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | T-MAX™ [B2] |
其它名称 | APL502B2GMI |
功率-最大值 | 730W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 58A (Tc) |