ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 > FGY75N60SMD
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FGY75N60SMD产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGY75N60SMD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGY75N60SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGY75N60SMD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3。您可以下载FGY75N60SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGY75N60SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGY75N60SMD 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于 UGBT(超结功率 MOSFET)系列。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) - FGY75N60SMD 的高电压耐受能力(600V)和低导通电阻(Rds(on) = 0.23 Ω 典型值)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 常见于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中,例如适配器、充电器以及工业电源。 2. 电机驱动 - 该器件可用于驱动中小功率的直流无刷电机(BLDC)或步进电机。 - 在电机控制电路中作为功率开关,提供高效的电流切换。 3. 逆变器 - 应用于小型太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,用于将直流电转换为交流电。 - 高效的开关性能和低损耗特性有助于提高整体能效。 4. 不间断电源 (UPS) - 在 UPS 系统中用作功率开关,确保在市电中断时能够快速切换到电池供电模式。 5. 电磁阀和继电器驱动 - 用于工业自动化设备中的电磁阀或继电器驱动,提供稳定的电流输出并实现高效控制。 6. LED 驱动 - 在大功率 LED 照明系统中,FGY75N60SMD 可用作恒流源或开关元件,以调节 LED 的亮度和工作状态。 7. 电动车和电动工具 - 适用于电动车(如电动自行车)或电动工具(如电钻、电锯)的电池管理系统(BMS)和电机控制器中。 特性总结: - 高电压耐受:600V 额定电压,适合高压环境下的应用。 - 低导通电阻:降低功耗,提高效率。 - 快速开关速度:减少开关损耗,适合高频应用。 - 紧凑封装:采用 DPAK 封装,节省 PCB 空间。 综上所述,FGY75N60SMD 主要应用于需要高效功率开关和低损耗的场景,广泛覆盖消费电子、工业设备和新能源领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 24ns/136ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 225A |
描述 | IGBT 600V 150A 750W POWER-247IGBT 晶体管 600V, 75A Field Stop IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 248nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGY75N60SMD- |
数据手册 | |
产品型号 | FGY75N60SMD |
PCN封装 | |
SwitchingEnergy | 2.3mJ (开), 770µJ (关) |
TestCondition | 400V, 75A, 3 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,75A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | Power-247 |
其它名称 | FGY75N60SMD-ND |
功率-最大值 | 750W |
功率耗散 | 750 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 7.629 g |
反向恢复时间(trr) | 55ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 150 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 裸露焊盘 |
封装/箱体 | Power-247 |
工厂包装数量 | 150 |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150A |
系列 | FGY75N60SMD |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |