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  • 型号: FGH30N120FTDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH30N120FTDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH30N120FTDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH30N120FTDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGH30N120FTDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH30N120FTDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美半导体)的FGH30N120FTDTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超高频功率晶体管)、MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - FGH30N120FTDTU适用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器等应用,因其具有低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds),能够高效地控制电流流动。
   - 在工业电源、通信电源和消费类电子设备中,这款MOSFET可以用于提高效率并降低功耗。

 2. 电机驱动
   - 该器件适合用于小型电机驱动电路,例如步进电机、无刷直流电机(BLDC)和有刷直流电机的控制。
   - 其高耐压特性(1200V)使其能够在高压环境下可靠运行,适用于家电、电动工具和自动化设备中的电机控制。

 3. 逆变器与变频器
   - FGH30N120FTDTU可用于太阳能逆变器和变频器中,作为功率开关元件,实现高效的电能转换。
   - 它支持高频开关操作,能够满足逆变器对快速响应和低损耗的要求。

 4. 电动车与混合动力汽车
   - 在电动车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,这款MOSFET可以用于电池管理系统(BMS)、车载充电器和DC-DC转换器。
   - 其高压特性和良好的热性能使其在车辆电气系统中表现优异。

 5. 工业自动化
   - 该器件广泛应用于工业自动化设备,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和机器人控制系统。
   - 在这些领域,FGH30N120FTDTU能够提供稳定的开关性能和可靠的保护功能。

 6. 照明系统
   - 在LED照明驱动电路中,这款MOSFET可以用作功率开关,实现恒流或恒压输出。
   - 它的高效开关特性有助于减少热量产生,从而延长灯具的使用寿命。

 总结
FGH30N120FTDTU凭借其高耐压、低导通电阻和优良的开关特性,适用于多种高压、高频应用场景。无论是消费电子、工业设备还是新能源领域,这款MOSFET都能提供稳定且高效的性能表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

90A

描述

IGBT 1200V 60A 339W TO247

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

208nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

FGH30N120FTDTU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

-

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2V @ 15V,30A

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

339W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

730ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

150

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

输入类型

标准

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