Datasheet下载- 型号： STGB7NB60KDT4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB7NB60KDT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB7NB60KDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB7NB60KDT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGB7NB60KDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGB7NB60KDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGB7NB60KDT4是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超结功率MOSFET（UGBT）系列。该器件具有以下主要参数：耐压650V，连续漏极电流为7A（25°C时），导通电阻低至0.95Ω（最大值）。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） 适用于各种开关电源设计，如适配器、充电器和工业电源。其高耐压和低导通电阻特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 可用于中小功率电机驱动电路中，例如家用电器（如风扇、泵）或小型工业设备的电机控制。其快速开关能力和低功耗使其适合此类应用。 3. 逆变器 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，该MOSFET可用于高频开关操作，实现高效的直流到交流转换。 4. DC-DC转换器 适用于降压或升压型DC-DC转换器，特别是在需要高效率和良好热性能的应用中。 5. PFC（功率因数校正）电路 用于有源功率因数校正电路中，以提高系统的功率因数并满足相关法规要求。 6. 电池管理系统（BMS） 可用作电池保护电路中的开关元件，确保过流、短路等异常情况下的安全运行。 7. 照明系统 在LED驱动器和电子镇流器中，该MOSFET可以提供高效稳定的电流输出，支持现代节能照明需求。 由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式（TO-220 Fullpak），STGB7NB60KDT4非常适合对成本敏感且需要高性能的电力电子应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 15ns/50ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 56A |
| 描述 | IGBT 600V 14A 80W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 32.7nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STGB7NB60KDT4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerMESH™ |
| SwitchingEnergy | 140µJ （关） |
| TestCondition | 480V, 7A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V，7A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 50ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 14A |
| 输入类型 | 标准 |
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