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  • 型号: FGH40T65UPD
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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FGH40T65UPD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40T65UPD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40T65UPD价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40T65UPD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-247-3。您可以下载FGH40T65UPD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40T65UPD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

20ns/144ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 650V 80A 268W TO-247ABIGBT 晶体管 650 V 80 A 268 W

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

177nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40T65UPD-

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产品型号

FGH40T65UPD

PCN封装

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SwitchingEnergy

1.59mJ (开), 580µJ (关)

TestCondition

400V, 40A, 7 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.3V @ 15V,40A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

268W

功率耗散

268 W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

43ns

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

80 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

400 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

650V

电流-集电极(Ic)(最大值)

80A

系列

FGH40T65

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极—射极饱和电压

2.1 V

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