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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4IBC30WPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4IBC30WPBF价格参考。International RectifierIRG4IBC30WPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRG4IBC30WPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4IBC30WPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 IRG4IBC30WPBF 的晶体管由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产,属于 MOSFET - 单 类别,具体为 UGBT(Ultrafast Groove Bipolar Transistor)系列。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRG4IBC30WPBF 常用于高效能的开关电源设计中,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 其低导通电阻和快速开关特性使其适合高频开关应用,能够提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动系统中,该 MOSFET 可作为功率开关元件,控制电机的启动、停止及速度调节。 - 适用于家用电器(如风扇、水泵)、电动工具以及工业自动化设备中的电机控制。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,将直流电转换为交流电。 - 其高耐压(300V)和低功耗特性确保了逆变器在复杂负载条件下的稳定运行。 4. 汽车电子 - 在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、LED 灯驱动、电动车窗控制等场景。 - 它的高可靠性和耐高温性能满足汽车环境的严格要求。 5. 照明系统 - 适用于 LED 驱动电路,提供高效的电流控制和调光功能。 - 在户外照明或工业照明中,其耐用性和稳定性表现出色。 6. 消费电子产品 - 在笔记本适配器、手机快充适配器等消费类电子产品中,该 MOSFET 能够实现高效率的电力传输和管理。 技术特点支持的应用需求: - 额定电压:300V —— 适用于高压环境,确保安全可靠。 - 低 Rds(on):典型值 0.18Ω —— 减少传导损耗,提升系统效率。 - 快速开关速度 —— 支持高频工作,降低磁性元件体积和成本。 - 优异的热性能 —— 提高散热能力,延长使用寿命。 综上所述,IRG4IBC30WPBF 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景,特别是在中小功率范围内的各种工业、汽车和消费类产品中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 25ns/99ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 92A |
描述 | IGBT 600V 17A 45W TO220FPIGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 51nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4IBC30WPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4IBC30WPBF |
SwitchingEnergy | 130µJ (开), 130µJ (关) |
TestCondition | 480V, 12A, 23 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,12A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
其它名称 | *IRG4IBC30WPBF |
功率-最大值 | 45W |
功率耗散 | 45 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 17 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 17A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
集电极最大连续电流Ic | 17 A |