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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP2N120CN由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP2N120CN价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP2N120CN封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTP2N120CN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTP2N120CN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的HGTP2N120CN是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT,MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要集中在需要高效功率转换和开关控制的领域。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理: HGTP2N120CN适用于各种电源管理应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器。由于其低导通电阻和快速开关特性,能够有效减少能量损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动:在工业自动化、家用电器和汽车电子中,该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。它能承受高电压和大电流,并提供精确的电流控制。 3. 逆变器和变频器:在太阳能逆变器、UPS系统和变频空调等设备中,HGTP2N120CN可以作为关键的功率开关器件,实现高效的电能转换和频率调节。 4. 负载开关:用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备中的负载开关应用,以实现快速、可靠的电路切换和保护功能。 5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池管理系统中,该MOSFET可用于电池充放电控制和过流保护。 6. 照明系统:在LED驱动器和高压气体放电灯(HID)镇流器中,HGTP2N120CN可提供稳定的电流输出和高效的功率转换。 总之,HGTP2N120CN凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效率、高功率密度和快速响应的各种电子系统中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 25ns/205ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 20A |
描述 | IGBT 1200V 13A 104W TO220AB |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 30nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HGTP2N120CN |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 96µJ (开), 355µJ (关) |
TestCondition | 960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,2.6A |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 104W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 400 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 13A |
输入类型 | 标准 |