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  • 型号: STGW50H60DF
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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STGW50H60DF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGW50H60DF由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW50H60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGW50H60DF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 600V 100A 360W Through Hole TO-247。您可以下载STGW50H60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW50H60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

62ns/178ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

200A

描述

IGBT 600V 100A 360W TO247IGBT 晶体管 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

217nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW50H60DF-

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产品型号

STGW50H60DF

SwitchingEnergy

890µJ (开), 860µJ (关)

TestCondition

400V, 50A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.8V @ 15V,50A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

其它名称

497-12423

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF251541?referrer=70071840

功率-最大值

360W

功率耗散

360 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

55ns

商标

STMicroelectronics

在25C的连续集电极电流

100 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

250 nA

标准包装

30

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100A

系列

STGW50H60DF

输入类型

标准

集电极—射极饱和电压

1.8 V

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