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Datasheet下载- 型号： STGW50H60DF
- 制造商： STMicroelectronics
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STGW50H60DF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW50H60DF由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW50H60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGW50H60DF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 600V 100A 360W Through Hole TO-247。您可以下载STGW50H60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGW50H60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW50H60DF是一款集成了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和反并联二极管的功率器件，属于晶体管中的IGBT类别，常用于高功率、高电压的开关应用。该器件具备高耐压（600V）和较强电流承载能力（50A），适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统。 主要应用场景包括： 1. 工业电机驱动：如变频器、伺服驱动器，用于控制电机的速度与转矩，具有高效、节能、响应快的特点。 2. 逆变器系统：广泛应用于太阳能逆变器和储能系统中，将直流电转换为交流电，实现清洁能源的有效利用。 3. 电动汽车充电设备：作为功率开关元件，用于车载充电器或充电桩中的DC-AC或DC-DC变换电路。 4. 家电应用：如电磁炉、变频空调等高功率家电中，用于实现高效能功率控制。 5. 电源转换系统：如UPS（不间断电源）、开关电源等，用于提高系统效率与稳定性。 该器件采用先进的封装技术，具备良好的热性能和抗干扰能力，适合在高温和高湿度环境下工作，广泛应用于工业控制、新能源和智能家电等领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 62ns/178ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 600V 100A 360W TO247IGBT 晶体管 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 217nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW50H60DF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGW50H60DF |
| SwitchingEnergy | 890µJ （开）， 860µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 50A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V，50A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-12423 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF251541?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 360W |
| 功率耗散 | 360 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 55ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 100 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100A |
| 系列 | STGW50H60DF |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
