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Datasheet下载- 型号： STGB20N40LZ
- 制造商： STMicroelectronics
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STGB20N40LZ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB20N40LZ由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB20N40LZ价格参考。STMicroelectronicsSTGB20N40LZ封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 390V 25A 150W Surface Mount TO-263 (D²Pak)。您可以下载STGB20N40LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGB20N40LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGB20N40LZ是一款功率MOSFET器件，主要应用于需要高效能功率转换与控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适用于以下应用场景： 1. 电源管理：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，用于提高电源转换效率，降低能耗。 2. 电机驱动：在工业自动化、电动工具、家电（如变频空调、洗衣机）中作为电机控制开关，实现高效调速与节能。 3. 照明系统：用于LED照明驱动电源中，支持高效率与高稳定性的电源设计。 4. 汽车电子：如车载充电器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统等，满足汽车环境中对可靠性和耐温性的要求。 5. 消费电子产品：包括充电器、移动电源、智能家电等，帮助实现小型化与高效率设计。 6. 工业控制：如PLC、变频器、继电器替代方案等，提供快速开关与低损耗特性。 该MOSFET适用于中高功率应用，具备良好的动态性能和耐用性，适合设计紧凑、高效、可靠的电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 700ns/4.3µs |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
| 描述 | IGBT 390V 25A 150W D2PAKIGBT 晶体管 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 24nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGB20N40LZPowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGB20N40LZ |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V， 10A， 1 千欧， 5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.6V @ 4V，6A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-263 （D²Pak） |
| 其它名称 | 497-14035-1 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 16 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 625 uA |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 390V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 25A |
| 系列 | STGB20N40LZ |
| 输入类型 | 逻辑 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 425 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 25 A |
