Datasheet下载- 型号： FGA20N120FTDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA20N120FTDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA20N120FTDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGA20N120FTDTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGA20N120FTDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGA20N120FTDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGA20N120FTDTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 MOSFET 晶体管，属于 UGBT（Ultrafast General Purpose Transistors）系列中的单通道 MOSFET。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - FGA20N120FTDTU 具有高电压耐受能力（1200V），适合用于高压直流-直流转换器、开关电源（SMPS）和逆变器中。 - 它可以作为功率开关，用于控制电流流向，提高电源效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 在工业自动化和家用电器中，该 MOSFET 可用于驱动中小型电机，例如空调压缩机、风扇或泵。 - 它能够承受较高的电压和电流波动，确保电机运行稳定可靠。 3. 太阳能逆变器 - 由于其高耐压特性和低导通电阻（Rds(on) = 0.45Ω @ Vgs=10V），FGA20N120FTDTU 常用于太阳能光伏系统的逆变器中，将直流电转换为交流电。 - 它有助于提高能量转换效率，同时降低热损耗。 4. 不间断电源（UPS） - 在 UPS 系统中，这款 MOSFET 能够在市电中断时快速切换到电池供电模式，保证设备的持续运行。 - 其快速开关特性（典型关断时间为 80ns）使其非常适合高频开关应用。 5. 电动车与混合动力车 - 该器件可用于电动车或混合动力车的车载充电器、DC-DC 转换器以及电池管理系统（BMS）中。 - 它能够承受车辆环境中常见的高电压和高温条件，提供稳定的性能。 6. 焊接设备 - 在焊接机中，FGA20N120FTDTU 可用于控制焊接电流的输出，确保焊接过程的精确性和一致性。 7. 其他工业应用 - 包括固态继电器、电磁阀驱动、LED 驱动器等需要高效功率控制的场景。 - 它还适用于需要高可靠性、长寿命的工业设备中，如 CNC 机床、机器人控制器等。 总结来说，FGA20N120FTDTU 的高耐压、低导通电阻和快速开关特性使其成为高压功率转换和控制应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
| 描述 | IGBT 1200V 40A 298W TO3PNIGBT 晶体管 1200V N-Chan Trench |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 137nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA20N120FTDTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGA20N120FTDTU |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，20A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 其它名称 | FGA20N120FTDTU-ND |
| 功率-最大值 | 298W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 反向恢复时间(trr) | 447ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 25 V |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | FGA20N120FTDTU |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |
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