【未分类_IRGSL4B60KD1PBF】封装/厂家_IRGSL4B60KD1PBF中文资料_价格

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型号： IRGSL4B60KD1PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRGSL4B60KD1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGSL4B60KD1PBF价格参考。International RectifierIRGSL4B60KD1PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRGSL4B60KD1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRGSL4B60KD1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRGSL4B60KD1PBF是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单通道增强型N沟道功率MOSFET。其主要应用场景包括以下几个方面：

 1. 开关电源（SMPS）
   - 该型号适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。
   - 其高电压耐受能力（高达600V）和低导通电阻（典型值为0.28Ω）使其非常适合高效能开关应用。
   - 在开关模式下，它可以快速切换以实现高效的能量转换。

 2. 电机驱动
   - IRGSL4B60KD1PBF可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。
   - 它能够承受较高的电压波动，并提供稳定的电流输出，确保电机运行平稳。
   - 适用于家用电器、工业设备中的电机控制。

 3. 逆变器
   - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，这款MOSFET可以作为开关元件使用。
   - 它能够在高频条件下工作，帮助实现高效的电能转换。

 4. 电池管理系统（BMS）
   - 用于保护锂电池组免受过充、过放或短路的影响。
   - 通过充当电子开关，可以在异常情况下迅速切断电路，保护电池和负载。

 5. LED驱动
   - 在大功率LED照明系统中，该MOSFET可用作恒流源的开关元件。
   - 提供稳定的工作电流，保证LED亮度一致性并延长使用寿命。

 6. 消费电子与家电
   - 应用于电视、显示器、打印机等消费电子产品中的电源管理模块。
   - 也适合用于空调、冰箱等家电产品的压缩机或风扇控制。

 总结
IRGSL4B60KD1PBF凭借其出色的电气特性（如高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度），广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子领域。无论是工业设备还是日常生活中的电子产品，这款MOSFET都能发挥重要作用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	22ns/100ns
产品目录	分立半导体产品半导体
Current-CollectorPulsed(Icm)	22A
描述	IGBT 600V 11A 63W TO262IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	12nC
IGBT类型	NPT
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGSL4B60KD1PBF-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRGSL4B60KD1PBF
SwitchingEnergy	73µJ （开）， 47µJ （关）
TestCondition	400V, 4A, 100 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.5V @ 15V，4A
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-262
其它名称	*IRGSL4B60KD1PBF
功率-最大值	63W
功率耗散	63 W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	93ns
商标	International Rectifier
在25C的连续集电极电流	12 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装/箱体	TO-262
工厂包装数量	50
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
标准包装	50
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	11A
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irgb_s_sl4b60kd1.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irgb_s_sl4b60kd1.spi
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.5 V