Datasheet下载- 型号： SGH80N60UFDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SGH80N60UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGH80N60UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGH80N60UFDTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SGH80N60UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGH80N60UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的SGH80N60UFDTU是一款MOSFET晶体管，属于超结MOSFET（Ultrafast Recovery Super Junction MOSFET, UGBT）系列。该器件主要应用于高电压、高效能的功率转换场景，以下是其典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） SGH80N60UFDTU适用于各种开关电源设计，如AC-DC适配器、充电器和工业电源。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性能够显著降低功耗，提高效率。 2. 电机驱动 在电机控制应用中，这款MOSFET可用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机或其他类型的电机。它能够承受高电压并提供高效的电流切换能力。 3. 逆变器与UPS系统 该器件适合用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等需要高效能量转换的场合。其优异的动态性能和热稳定性有助于提升系统的可靠性和效率。 4. PFC电路（功率因数校正） 在功率因数校正电路中，SGH80N60UFDTU可以作为主开关元件使用，帮助实现更高的功率因数和更低的总谐波失真（THD）。 5. 汽车电子 由于其高耐压（600V）和稳健的设计，这款MOSFET也可用于汽车电子领域，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及LED驱动器等。 6. 工业自动化设备 在工业自动化领域，该MOSFET可用于伺服驱动器、可编程逻辑控制器（PLC）和其他需要高性能功率管理的设备中。 总结来说，SGH80N60UFDTU凭借其600V的额定电压、低导通电阻和快速恢复特性，非常适合需要高效功率转换和高可靠性的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 23ns/90ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 220A |
| 描述 | IGBT 600V 80A 195W TO3P |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 175nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SGH80N60UFDTU |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 570µJ （开）， 590µJ （关） |
| TestCondition | 300V, 40A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V，40A |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 功率-最大值 | 195W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 95ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 输入类型 | 标准 |
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