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  • 型号: SGW23N60UFDTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGW23N60UFDTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGW23N60UFDTM价格参考。Fairchild SemiconductorSGW23N60UFDTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGW23N60UFDTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGW23N60UFDTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SGW23N60UFDTM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高电压、大电流功率MOSFET,属于晶体管中的UGBT/MOSFET类别。该器件主要用于需要高效能功率转换和控制的场景。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,因其高耐压(600V)和大电流能力,适合工业电源设备使用。

2. 电机驱动:在变频器与伺服电机控制系统中,作为主开关元件实现高效能电机控制。

3. 照明系统:适用于高强度气体放电灯(HID)或LED路灯等高功率照明设备的电源调节模块。

4. 家电应用:如电磁炉、洗衣机等高端家电产品中,用于提升能效及功率密度。

5. 新能源领域:可用于太阳能逆变器或储能系统的功率转换部分,提高整体系统效率。

该MOSFET采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻、快速开关特性,有助于减少能量损耗并提高系统稳定性,广泛应用于工业、消费电子及绿色能源等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

17ns/60ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

92A

描述

IGBT 600V 23A 100W D2PAK

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

49nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

SGW23N60UFDTM

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

115µJ (开), 135µJ (关)

TestCondition

300V, 12A, 23 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.6V @ 15V,12A

供应商器件封装

D²PAK

功率-最大值

100W

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

60ns

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

23A

输入类型

标准

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