【未分类_NGTB40N60IHLWG】封装/厂家_NGTB40N60IHLWG中文资料_价格

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型号： NGTB40N60IHLWG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB40N60IHLWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB40N60IHLWG价格参考。ON SemiconductorNGTB40N60IHLWG封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NGTB40N60IHLWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB40N60IHLWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NGTB40N60IHLWG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于 UGBT（Ultra-G 系列功率晶体管）产品线。该器件的主要应用场景包括：

1. 开关电源 (SMPS)：  
   NGTB40N60IHLWG 的高电压耐受能力（600V 额定击穿电压）和低导通电阻（典型值 0.37Ω），使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地处理高压输入，并在高频开关条件下保持较低的功耗。

2. 电机驱动：  
   在电机驱动应用中，这款 MOSFET 可以用作功率级开关，控制电机的运行速度和方向。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高系统的效率和可靠性。

3. 逆变器：  
   该器件适用于太阳能逆变器和其他类型的电力转换系统。它能够在高压环境下稳定工作，同时支持高效的能量转换。

4. DC-DC 转换器：  
   在 DC-DC 转换器中，NGTB40N60IHLWG 可作为主开关或同步整流器，提供高效的电压转换功能。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗。

5. 负载开关与保护电路：  
   由于其坚固的设计和较高的电流承载能力（连续漏极电流可达 40A），该 MOSFET 可用于负载开关和过流保护电路，确保系统的安全性和稳定性。

6. 汽车电子：  
   在汽车电子领域，例如启动马达、电动助力转向系统 (EPS) 和其他车载电子设备中，这款 MOSFET 可以承受恶劣的工作环境，提供可靠的性能。

总结来说，NGTB40N60IHLWG 凭借其出色的电气特性和耐用性，广泛应用于工业、消费电子、汽车以及可再生能源等领域，特别是在需要高效功率转换和控制的应用场景中表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	70ns/140ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	200A
描述	IGBT 600V 40A TO247
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	130nC
IGBT类型	沟道和场截止
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NGTB40N60IHLWG
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	400µJ （关）
TestCondition	400V, 40A, 10 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.4V @ 15V，40A
供应商器件封装	*
功率-最大值	250W
包装	*
反向恢复时间(trr)	400ns
安装类型	*
封装/外壳	*
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	80A
输入类型	标准