Datasheet下载- 型号： NGTB15N120LWG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB15N120LWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB15N120LWG价格参考。ON SemiconductorNGTB15N120LWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTB15N120LWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB15N120LWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NGTB15N120LWG是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超低功耗沟道MOSFET（UGBT）系列，适用于多种工业和消费电子应用。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - NGTB15N120LWG具有1200V的高击穿电压和低导通电阻，非常适合用于开关电源中的高压开关元件。 - 应用实例包括适配器、充电器以及DC-DC转换器。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于驱动各种类型的电机，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。 - 其快速开关特性和低损耗性能有助于提高电机控制效率。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，该器件可以作为功率开关使用，实现高效的电能转换。 - 它支持高频操作，从而减少磁性元件的体积和重量。 4. 电磁阀控制 - NGTB15N120LWG能够承受高电压瞬变，适合用于工业自动化系统中的电磁阀驱动电路。 5. 负载切换 - 在需要频繁切换高电压负载的应用中，例如LED照明或家用电器，这款MOSFET提供了可靠的解决方案。 6. 不间断电源（UPS） - 由于其优异的热性能和电气特性，该器件常被用于UPS系统的功率级设计中，以确保稳定供电。 7. 电动工具 - 在电动工具的电池管理系统和功率输出部分，这款MOSFET可以提供高效且紧凑的设计方案。 总结 NGTB15N120LWG凭借其高耐压能力、低导通电阻和出色的热稳定性，广泛应用于需要高效能量转换和控制的场景中。这些特点使其成为许多现代电力电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 72ns/165ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 1200V 30A 156W TO247-3IGBT 晶体管 1200V/15A IGBT LPT TO-247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 160nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB15N120LWG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB15N120LWG |
| SwitchingEnergy | 2.1mJ （开）， 560µJ （关） |
| TestCondition | 600V，15A，15 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，15A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB15N120LWG-ND |
| 功率-最大值 | 229W |
| 功率耗散 | 156 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 30 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/trench-and-field-stop-igbts/50258 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30A |
| 系列 | NGTB15N120L |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
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